Name: IQE030N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.1358 EUR
Availability: InStock

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IQE030N06NM5SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQE030N06NM5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE030N06NM5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE030N06NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE030N06NM5SCATMA1
Descrizione	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 21A (Ta), 132A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE030N06NM5SCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,3V a 50µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 132A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHSON-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN