Name: IQE030N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.7698 EUR
Availability: InStock

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IQE030N06NM5CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE030N06NM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE030N06NM5CGATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE030N06NM5CGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 137A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IQE030N
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 20A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,91938	€ 4 596,90

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,76980

IQE030N06NM5CGATMA1