Name: IQE013N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 3.1598 EUR
Availability: InStock

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IQE013N04LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE013N04LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE013N04LM6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE013N04LM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 51µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31A (Ta), 205A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,35mohm a 20A, 10V	Codice componente base IQE013