Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.5624 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE006NE2LM5CGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5453 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TTFN-9-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 41A (Ta), 298A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,65mohm a 20A, 10V	Codice componente base IQE006