Canale N 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
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IQD020N10NM5SCATMA1

Codice DigiKey
448-IQD020N10NM5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IQD020N10NM5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IQD020N10NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IQD020N10NM5SCATMA1
Descrizione
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore
39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IQD020N10NM5SCATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 5
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
26A (Ta), 276A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,05mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,8V a 159µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
9500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-WHSON-8-U02
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
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In magazzino: 4 490
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,98000€ 4,98
10€ 3,33100€ 33,31
100€ 2,39500€ 239,50
500€ 2,34560€ 1 172,80
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 1,91633€ 9 581,65
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,98000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,07560
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