Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 7.6494 EUR
Availability: OutOfStock

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IPW65R099C6FKSA1
Codice DigiKey	IPW65R099C6FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW65R099C6FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW65R099C6FKSA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	38 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	99mohm a 12,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 1,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2780 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	278W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-3-1
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IPW65R099

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 6,27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 7,64940

IPW65R099C6FKSA1