IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPU80R2K8CEBKMA1
Codice DigiKey	IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPU80R2K8CEBKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Foro passante PG-TO251-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 120µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 290 pF @ 100 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPU80R
RDSon (max) a Id, Vgs 2,8ohm a 1,1A, 10V

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