PG-TO251-3
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IPU80R2K8CEBKMA1

Codice DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPU80R2K8CEBKMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Foro passante PG-TO251-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,8ohm a 1,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,9V a 120µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
290 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO251-3
Contenitore/involucro
TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Codice componente base
IPU80R
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