IPU60R600C6AKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : € 2,33000

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IPU60R600C6AKMA1
Codice DigiKey	IPU60R600C6AKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPU60R600C6AKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) Foro passante PG-TO251-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 200µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20.5 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 100 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPU60R
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 2,4A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SIHU7N60E-GE3	Vishay Siliconix	2 240	742-SIHU7N60E-GE3-ND	€ 2,33000	Simile

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