Name: IPTG017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.9174 EUR
Availability: InStock

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IPTG017N12NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPTG017N12NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTG017N12NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTG017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTG017N12NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 32A (Ta), 331A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 150A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,6V a 275µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 141 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 60 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 395W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 32A (Ta), 331A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOG-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano