Canale N 650 V A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
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IPT65R190CFD7XTMA1

Codice DigiKey
448-IPT65R190CFD7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPT65R190CFD7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPT65R190CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPT65R190CFD7XTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPT65R190CFD7XTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CFD7
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
-
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
-
Vgs (max)
-
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8-2
Contenitore/involucro
8-PowerSFN
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In magazzino: 1 140
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,11000€ 3,11
10€ 2,03200€ 20,32
100€ 1,41970€ 141,97
500€ 1,24244€ 621,22
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 1,01508€ 2 030,16
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,11000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,79420