Name: IPT60T022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60T022S7XTMA1TR-ND
Price: 12.5538 EUR
Availability: InStock

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IPT60T022S7XTMA1
Codice DigiKey	448-IPT60T022S7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT60T022S7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT60T022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT60T022S7XTMA1
Descrizione	HIGH POWER_NEW
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 23 A (Tj) 390W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT60T022S7XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 23A, 12V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,43mA
Serie CoolMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 12 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5640 pF @ 300 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Tj)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 12V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN