Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 5.5388 EUR
Availability: InStock

IPT60R102G7XTMA1
Codice DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT60R102G7XTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 23 A (Tc) 141W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	23 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	102mohm a 7,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 390µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1320 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	141W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-2
Contenitore/involucro	8-PowerSFN
Codice componente base	IPT60R102

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,53880

IPT60R102G7XTMA1