Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R028G7XTMA1TR-ND
Price: 14.8108 EUR
Availability: InStock

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IPT60R028G7XTMA1
Codice DigiKey	IPT60R028G7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT60R028G7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT60R028G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT60R028G7XTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 75 A (Tc) 391W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT60R028G7XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 28,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1,44mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	123 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4820 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	391W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-2
Contenitore/involucro	8-PowerSFN
Codice componente base	IPT60R028