Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 6.5392 EUR
Availability: InStock

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IPT039N15N5ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT039N15N5ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT039N15N5ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 50 A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,6V a 257µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 98 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7700 pF @ 75 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 190A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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In magazzino: 4 403

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,94266	€ 3 885,32

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,53920

IPT039N15N5ATMA1