Name: IPT009N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 9.2232 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT009N08NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT009N08NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT009N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT009N08NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	43A (Ta), 425A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,95mohm a 150A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 278µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13000 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-1
Contenitore/involucro	8-PowerSFN