Name: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND
Price: 8.357 EUR
Availability: InStock

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IPT008N06NM5LFATMA1
Codice DigiKey	448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT008N06NM5LFATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT008N06NM5LFATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT008N06NM5LFATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 185 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 980 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 454A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPT008N
RDSon (max) a Id, Vgs 0,8mohm a 150A, 10V