IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPSA70R750P7SAKMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 5

Prezzo unitario : € 1,27000

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IPSA70R750P7SAKMA1
Codice DigiKey	IPSA70R750P7SAKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPSA70R750P7SAKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 6,5 A (Tc) 34,7W (Tc) Foro passante PG-TO251-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 70µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.3 nC @ 400 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 306 pF @ 400 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 34,7W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Contenitore del fornitore PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPSA70
RDSon (max) a Id, Vgs 750mohm a 1,4A, 10V