IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPS70R600CEAKMA1
Codice DigiKey	IPS70R600CEAKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPS70R600CEAKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Foro passante PG-TO251-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 210µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 474 pF @ 100 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Contenitore del fornitore PG-TO251-3-11
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPS70R
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 1A, 10V

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