Name: IPP80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Price: 1.9398 EUR
Availability: OutOfStock

IPP80R1K4P7XKSA1
Codice DigiKey	IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP80R1K4P7XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP80R1K4P7XKSA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 1,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 70µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	250 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	32W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IPP80R1

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,93980

IPP80R1K4P7XKSA1