IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3

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IPP65R150CFDAAKSA1
Codice DigiKey	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP65R150CFDAAKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP65R150CFDAAKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2340 pF @ 100 V
Confezionamento Tubo	Dissipazione di potenza (max) 195,3W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22,4 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-220-3
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 9,3A, 10V	Codice componente base IPP65R150
Vgs(th) max a Id 4,5V a 900µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPP65R145CFD7AAKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPP65R145CFD7AAKSA1-ND	€ 1,94896	Consigliato dal produttore
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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 5,48000	€ 5,48
50	€ 2,85580	€ 142,79
100	€ 2,60170	€ 260,17

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