Name: IPP65R110CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Price: 6.9052 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP65R110CFDAAKSA1
Codice DigiKey	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP65R110CFDAAKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP65R110CFDAAKSA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 12,7 A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 1,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3240 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	277,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IPP65R110

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,66000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,90520

IPP65R110CFDAAKSA1