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Scheda tecnica
Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
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IPP65R110CFDAAKSA1

Codice DigiKey
448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IPP65R110CFDAAKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPP65R110CFDAAKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
118 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3240 pF @ 100 V
Confezionamento
Tubo
Dissipazione di potenza (max)
277,8W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
110mohm a 12,7 A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1,3mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3 045785-1515-5-ND€ 6,72000Simile
FCP125N65S3onsemi2 265488-FCP125N65S3-ND€ 4,77000Simile
IXTP32N65XIXYS0IXTP32N65X-ND€ 4,50380Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 7,48000€ 7,48
50€ 4,00840€ 200,42
100€ 3,67360€ 367,36
500€ 3,08728€ 1 543,64
1 000€ 2,89911€ 2 899,11
2 000€ 2,74103€ 5 482,06
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 7,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 9,12560