IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPN80R900P7ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 2 753

Prezzo unitario : € 1,88000

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IPN80R900P7ATMA1
Codice DigiKey	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN80R900P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN80R900P7ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 110µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 500 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 7W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPN80R900
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,2A, 10V