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IPN80R900P7ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Consigliato dal produttore
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPN80R900P7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R900P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R900P7ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 900mohm a 2,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 110µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 350 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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