Canale N 800 V 8 A (Tc) 7,4W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
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Canale N 800 V 8 A (Tc) 7,4W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R600P7ATMA1

Codice DigiKey
IPN80R600P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPN80R600P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPN80R600P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPN80R600P7ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 8 A (Tc) 7,4W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPN80R600P7ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 170µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
570 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
7,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT223
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,85000€ 1,85
10€ 1,17900€ 11,79
100€ 0,79550€ 79,55
500€ 0,63122€ 315,61
1 000€ 0,57838€ 578,38
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,45089€ 1 352,67
6 000€ 0,43811€ 2 628,66
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,85000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,25700