


IPN80R4K5P7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN80R4K5P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R4K5P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R4K5P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,5 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R4K5P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4.5ohm a 400mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 20µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 80 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,85000 | € 0,85 |
| 10 | € 0,52700 | € 5,27 |
| 100 | € 0,34310 | € 34,31 |
| 500 | € 0,26422 | € 132,11 |
| 1 000 | € 0,23879 | € 238,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,20027 | € 600,81 |
| 6 000 | € 0,18447 | € 1 106,82 |
| 9 000 | € 0,17643 | € 1 587,87 |
| 15 000 | € 0,16777 | € 2 516,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,85000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,03700 |
















