Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
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Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R3K3P7ATMA1

Codice DigiKey
IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPN80R3K3P7ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPN80R3K3P7ATMA1 Modelli
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,3ohm a 590mA, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 30µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
120 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.1W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT223
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,89000€ 0,89
10€ 0,55500€ 5,55
100€ 0,36270€ 36,27
500€ 0,27990€ 139,95
1 000€ 0,25322€ 253,22
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,21933€ 657,99
6 000€ 0,20226€ 1 213,56
9 000€ 0,19356€ 1 742,04
15 000€ 0,18379€ 2 756,85
21 000€ 0,18051€ 3 790,71
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,89000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,08580