


IPN80R3K3P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R3K3P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R3K3P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,3ohm a 590mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 30µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 120 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6.1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,89000 | € 0,89 |
| 10 | € 0,55500 | € 5,55 |
| 100 | € 0,36270 | € 36,27 |
| 500 | € 0,27990 | € 139,95 |
| 1 000 | € 0,25322 | € 253,22 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,21933 | € 657,99 |
| 6 000 | € 0,20226 | € 1 213,56 |
| 9 000 | € 0,19356 | € 1 742,04 |
| 15 000 | € 0,18379 | € 2 756,85 |
| 21 000 | € 0,18051 | € 3 790,71 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,08580 |








