


IPN80R3K3P7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R3K3P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R3K3P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,3ohm a 590mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 30µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 120 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6.1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,90000 | € 0,90 |
| 10 | € 0,56100 | € 5,61 |
| 100 | € 0,36680 | € 36,68 |
| 500 | € 0,28318 | € 141,59 |
| 1 000 | € 0,25623 | € 256,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,21532 | € 645,96 |
| 6 000 | € 0,19859 | € 1 191,54 |
| 9 000 | € 0,19007 | € 1 710,63 |
| 15 000 | € 0,18300 | € 2 745,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,09800 |












