


IPN80R2K4P7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN80R2K4P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R2K4P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R2K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R2K4P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 2,5 A (Tc) 6.3W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R2K4P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,4ohm a 800mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 150 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6.3W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,97000 | € 0,97 |
| 10 | € 0,61000 | € 6,10 |
| 100 | € 0,40010 | € 40,01 |
| 500 | € 0,30996 | € 154,98 |
| 1 000 | € 0,28091 | € 280,91 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,24401 | € 732,03 |
| 6 000 | € 0,22544 | € 1 352,64 |
| 9 000 | € 0,21598 | € 1 943,82 |
| 15 000 | € 0,20535 | € 3 080,25 |
| 21 000 | € 0,20504 | € 4 305,84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,97000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,18340 |















