Canale N 800 V 2,5 A (Tc) 6.3W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
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Canale N 800 V 2,5 A (Tc) 6.3W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R2K4P7ATMA1

Codice DigiKey
IPN80R2K4P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPN80R2K4P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPN80R2K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPN80R2K4P7ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 2,5 A (Tc) 6.3W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPN80R2K4P7ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,4ohm a 800mA, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 40µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
150 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.3W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT223
Contenitore/involucro
Codice componente base
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In magazzino: 5 938
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,97000€ 0,97
10€ 0,61000€ 6,10
100€ 0,40010€ 40,01
500€ 0,30996€ 154,98
1 000€ 0,28091€ 280,91
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,24401€ 732,03
6 000€ 0,22544€ 1 352,64
9 000€ 0,21598€ 1 943,82
15 000€ 0,20535€ 3 080,25
21 000€ 0,20504€ 4 305,84
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,97000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,18340