Name: IPN80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 1.5494 EUR
Availability: OutOfStock

IPN80R1K2P7ATMA1
Codice DigiKey	IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN80R1K2P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 6,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN80R1K2P7ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 1,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	300 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IPN80R1

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,54940

IPN80R1K2P7ATMA1