Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: InStock

IPN70R1K4P7SATMA1
Codice DigiKey	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN70R1K4P7SATMA1
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 4 A (Tc) 6,2W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN70R1K4P7SATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 700mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 40µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	158 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IPN70R1

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,90280

IPN70R1K4P7SATMA1