
IPN60R2K1CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R2K1CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R2K1CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,1ohm a 800mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 60µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 140 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,64000 | € 0,64 |
| 10 | € 0,39600 | € 3,96 |
| 100 | € 0,25560 | € 25,56 |
| 500 | € 0,19460 | € 97,30 |
| 1 000 | € 0,17495 | € 174,95 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14545 | € 436,35 |
| 6 000 | € 0,13323 | € 799,38 |
| 9 000 | € 0,12700 | € 1 143,00 |
| 15 000 | € 0,12001 | € 1 800,15 |
| 21 000 | € 0,11586 | € 2 433,06 |
| 30 000 | € 0,11401 | € 3 420,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,64000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,78080 |
















