
IPN60R2K1CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R2K1CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R2K1CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,1ohm a 800mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 60µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 140 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,70000 | € 0,70 |
| 10 | € 0,43200 | € 4,32 |
| 100 | € 0,27870 | € 27,87 |
| 500 | € 0,21224 | € 106,12 |
| 1 000 | € 0,19079 | € 190,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14420 | € 432,60 |
| 6 000 | € 0,13209 | € 792,54 |
| 9 000 | € 0,12591 | € 1 133,19 |
| 15 000 | € 0,11898 | € 1 784,70 |
| 21 000 | € 0,11487 | € 2 412,27 |
| 30 000 | € 0,11303 | € 3 390,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,85400 |









