
IPN60R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN60R1K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R1K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R1K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 6,8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R1K0CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1ohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 130µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 280 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,79000 | € 0,79 |
| 10 | € 0,49600 | € 4,96 |
| 100 | € 0,32250 | € 32,25 |
| 500 | € 0,24772 | € 123,86 |
| 1 000 | € 0,22362 | € 223,62 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,18720 | € 561,60 |
| 6 000 | € 0,17224 | € 1 033,44 |
| 9 000 | € 0,16461 | € 1 481,49 |
| 15 000 | € 0,15605 | € 2 340,75 |
| 21 000 | € 0,15471 | € 3 248,91 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,96380 |















