
IPN50R2K0CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN50R2K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN50R2K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN50R2K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN50R2K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 3,6 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN50R2K0CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 13V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2ohm a 600mA, 13V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 50µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 124 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,59000 | € 0,59 |
| 10 | € 0,36400 | € 3,64 |
| 100 | € 0,23380 | € 23,38 |
| 500 | € 0,17748 | € 88,74 |
| 1 000 | € 0,15929 | € 159,29 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13208 | € 396,24 |
| 6 000 | € 0,12078 | € 724,68 |
| 9 000 | € 0,11502 | € 1 035,18 |
| 15 000 | € 0,10855 | € 1 628,25 |
| 21 000 | € 0,10472 | € 2 199,12 |
| 30 000 | € 0,10138 | € 3 041,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,71980 |
















