Consigliato dal produttore

IPL65R210CFDAUMA2 | |
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Codice DigiKey | 448-IPL65R210CFDAUMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPL65R210CFDAUMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 16,6 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 210mohm a 7,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 700µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1850 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-VSON-4 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |











