Name: IPL65R115CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R115CFD7AUMA1TR-ND
Price: 5.2948 EUR
Availability: InStock

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IPL65R115CFD7AUMA1
Codice DigiKey	448-IPL65R115CFD7AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPL65R115CFD7AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPL65R115CFD7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPL65R115CFD7AUMA1
Descrizione	COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 24 A (Tc) 144W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPL65R115CFD7AUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 115mohm a 9,7A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,5V a 480µA
Serie CoolMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Data di acquisto finale	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1942 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 24 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-VSON-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN