Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 6.1244 EUR
Availability: InStock

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IPL65R099C7AUMA1
Codice DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPL65R099C7AUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Tempi di consegna standard del produttore	39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 21 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPL65R099C7AUMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	99mohm a 5,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 590µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2140 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	128W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-VSON-4
Contenitore/involucro	4-PowerTSFN
Codice componente base	IPL65R099

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,12440

IPL65R099C7AUMA1