Name: IPL60R180P6AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R180P6AUMA1TR-ND
Price: 4.026 EUR
Availability: InStock

Serve aiuto?

Commenti

DigiKey Marketplace Vendi su DigiKey.com Lavora con noi Mappa del sito Soluzioni digitali Redazione

Assistenza Stato ordine Tariffe di spedizione/Opzioni Resi e problemi con l'ordine

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-navigazione

IPL60R180P6AUMA1
Codice DigiKey	IPL60R180P6AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPL60R180P6AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPL60R180P6AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPL60R180P6AUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Tempi di consegna standard del produttore	39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 22,4 A (Tc) 176W (Tc) A montaggio superficiale PG-VSON-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPL60R180P6AUMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 750µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2080 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	176W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-VSON-4
Contenitore/involucro	4-PowerTSFN
Codice componente base	IPL60R

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,02600

IPL60R180P6AUMA1