Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

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IPG20N10S4L35AATMA1
Codice DigiKey	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N10S4L35AATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 20A 43W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPG20N10S4L35AATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,1V a 16µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17,4nC a 10V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1105pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 43W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 17A, 10V	Codice componente base IPG20N