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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPG20N06S4L14ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N06S4L14ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N06S4L14ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 20A 50W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Fuori produzione presso DigiKey | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 20A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 13,7mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 20µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 39nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2890pF a 25V | |
Potenza - Max | 50W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-4 | |
Codice componente base |
0 in magazzino
Italia