
IPG20N04S4L18AATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPG20N04S4L18AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG20N04S4L18AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG20N04S4L18AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N04S4L18AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 20 A (Tc) 26W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N04S4L18AATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V |
Produttore Infineon Technologies | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1071pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 26W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc) | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10 |
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 17A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 8µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,62000 | € 1,62 |
| 10 | € 1,02800 | € 10,28 |
| 100 | € 0,68470 | € 68,47 |
| 500 | € 0,53732 | € 268,66 |
| 1 000 | € 0,48990 | € 489,90 |
| 2 000 | € 0,45002 | € 900,04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,40686 | € 2 034,30 |
| 10 000 | € 0,38020 | € 3 802,00 |
| 15 000 | € 0,36662 | € 5 499,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,97640 |



