


IPG20N04S4L07ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N04S4L07ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N04S4L07ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N04S4L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N04S4L07ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 20A 65W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N04S4L07ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 20A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,2mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 30µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3980pF a 25V | |
Potenza - Max | 65W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-4 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,84000 | € 1,84 |
| 10 | € 1,17700 | € 11,77 |
| 100 | € 0,79790 | € 79,79 |
| 500 | € 0,63548 | € 317,74 |
| 1 000 | € 0,60576 | € 605,76 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,49490 | € 2 474,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,24480 |







