Name: IPG20N04S418AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S418AATMA1TR-ND
Price: 0.46339 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFET - Array 40V 20 A (Tc) 26W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10

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IPG20N04S418AATMA1
Codice DigiKey	448-IPG20N04S418AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N04S418AATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 20 A (Tc) 26W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPG20N04S418AATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V
Produttore Infineon Technologies	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 789pF a 25V
Serie OptiMOS™ T2	Potenza - Max 26W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10
RDSon (max) a Id, Vgs 18,4mohm a 17A, 10V	Codice componente base IPG20N
Vgs(th) max a Id 4V a 8µA

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Nastrato in bobina (TR)