Name: IPG20N04S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND
Price: 1.9154 EUR
Availability: OutOfStock

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IPG20N04S412ATMA1
Codice DigiKey	448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG20N04S412ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG20N04S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N04S412ATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 20A 41W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPG20N04S412ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18nC a 10V
Produttore Infineon Technologies	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1470pF a 25V
Serie OptiMOS™	Potenza - Max 41W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Non per nuovi progetti	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4
RDSon (max) a Id, Vgs 12,2mohm a 17A, 10V	Codice componente base IPG20N
Vgs(th) max a Id 4V a 15µA