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IPG20N04S408AATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N04S408AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 20A 65W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 36nC a 10V |
Produttore Infineon Technologies | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2940pF a 25V |
Serie | Potenza - Max 65W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Obsoleto | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10 |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,6mohm a 17A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 30µA |
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In magazzino: 2 009
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,46000 | € 2,46 |
| 10 | € 1,58700 | € 15,87 |
| 100 | € 1,09010 | € 109,01 |
| 500 | € 0,87760 | € 438,80 |
| 1 000 | € 0,80930 | € 809,30 |
| 2 000 | € 0,75188 | € 1 503,76 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,00120 |
