IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPG20N04S408AATMA1
Codice DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N04S408AATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 20A 65W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20A
RDSon (max) a Id, Vgs	7,6mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 30µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	36nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2940pF a 25V
Potenza - Max	65W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-10
Codice componente base	IPG20N