Canale N 100 V 19A (Ta), 117A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
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IPF050N10NF2SATMA1

Codice DigiKey
448-IPF050N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPF050N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPF050N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPF050N10NF2SATMA1
Descrizione
MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 19A (Ta), 117A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPF050N10NF2SATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
StrongIRFET™ 2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
19A (Ta), 117A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5,05mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,8V a 84µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3600 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7
Contenitore/involucro
TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
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In magazzino: 506
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,50000€ 2,50
10€ 1,62300€ 16,23
100€ 1,11970€ 111,97
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,85630€ 685,04
1 600€ 0,79481€ 1 271,70
2 400€ 0,76350€ 1 832,40
4 000€ 0,75690€ 3 027,60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,05000