Canale N 650 V 24 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1
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IPDQ65R125CFD7XTMA1

Codice DigiKey
448-IPDQ65R125CFD7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPDQ65R125CFD7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPDQ65R125CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPDQ65R125CFD7XTMA1
Descrizione
HIGH POWER_NEW
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 24 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPDQ65R125CFD7XTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
125mohm a 7,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 390µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1566 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HDSOP-22-1
Contenitore/involucro
Modulo 22-PowerBSOP
Codice componente base
IPDQ65
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In magazzino: 552
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,18000€ 3,18
10€ 2,40000€ 24,00
25€ 2,20400€ 55,10
100€ 1,98750€ 198,75
250€ 1,88432€ 471,08
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
750€ 1,79104€ 1 343,28
1 500€ 1,74540€ 2 618,10
2 250€ 1,72253€ 3 875,69
3 750€ 1,69721€ 6 364,54
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,18000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,87960