Name: IPDQ65R029CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R029CFD7XTMA1TR-ND
Price: 11.1508 EUR
Availability: InStock

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IPDQ65R029CFD7XTMA1
Codice DigiKey	448-IPDQ65R029CFD7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPDQ65R029CFD7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPDQ65R029CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPDQ65R029CFD7XTMA1
Descrizione	HIGH POWER_NEW
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 85 A (Tc) 463W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPDQ65R029CFD7XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,79mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 139 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7149 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 463W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 85 A (Tc)	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPDQ65
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 35,8A, 10V

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In magazzino: 734

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
750	€ 5,59153	€ 4 193,65
1 500	€ 5,47573	€ 8 213,60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 9,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 11,15080

IPDQ65R029CFD7XTMA1