Name: IPD95R2K0P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD95R2K0P7ATMA1TR-ND
Price: 2.074 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD95R2K0P7ATMA1
Codice DigiKey	IPD95R2K0P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD95R2K0P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD95R2K0P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD95R2K0P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 950 V 4 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD95R2K0P7ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 80µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 950 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD95R2
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 1,7A, 10V