IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPD90R1K2C3ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 2 417

Prezzo unitario : € 1,83000

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IPD90R1K2C3ATMA1
Codice DigiKey	IPD90R1K2C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD90R1K2C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD90R1K2C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 5,1 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 2,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 310µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	710 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD90