
IPD80R600P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD80R600P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R600P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R600P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R600P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 8 A (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R600P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 600mohm a 3,4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 170µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 570 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,83000 | € 1,83 |
| 10 | € 1,17100 | € 11,71 |
| 100 | € 0,79370 | € 79,37 |
| 500 | € 0,63202 | € 316,01 |
| 1 000 | € 0,60179 | € 601,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,50804 | € 1 270,10 |
| 5 000 | € 0,49166 | € 2 458,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,23260 |








