Name: IPD80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

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IPD80R3K3P7ATMA1
Codice DigiKey	IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD80R3K3P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 18W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD80R3K3P7ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 30µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.8 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 120 pF @ 500 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 18W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD80R3
RDSon (max) a Id, Vgs 3,3ohm a 590mA, 10V

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Nastrato in bobina (TR)